[发明专利]薄膜构图的衬底及其表面处理有效
申请号: | 200610144630.1 | 申请日: | 1999-03-17 |
公开(公告)号: | CN101005125A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 木口浩史;汤田坂一夫;关俊一;宫岛弘夫 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00;H01L21/00;H01L27/32;H05B33/10;G02B5/20 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 钟强;关兆辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件,以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素,其满足公式a>d/4,d/2<b<5d,c>t0和c>d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度,c为堤的高度,b为要被涂敷的区域的宽度,而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径,t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法,包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤,并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法,包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理,并进行含氟气体的等离子体处理。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 构图 衬底 及其 表面 处理 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜发光元件的制造方法,包括如下工序:在具有第1电极、第2电极、以及设置在所述第1电极和所述第2电极之间的有机半导体膜并由堤围成的区域中填充薄膜形成材料,形成有机半导体膜,所述薄膜发光元件的制造方法的特征在于,包括以下工序:在衬底上由无机材料形成所述第1电极;由有机材料形成所述堤,以分隔所述第1电极;对所述堤进行等离子体处理,并且对所述第1电极进行所述等离子体处理,通过该等离子体处理,使所述堤对所述薄膜形成材料的非亲合性大于所述第1电极对所述薄膜形成材料的非亲合性;以及在进行所述等离子体处理之后,将所述薄膜形成材料填充到所述第1电极上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610144630.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带有拦渣和电控限流功能的防倒灌智慧截流井
- 下一篇:防臭地漏
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择