[发明专利]使用接触型氮化物镶嵌掩模的局部镶嵌FinFET的制造

摘要

公开了用于使用第一硬掩模图形来限定有源区和第二硬掩模图形来保护有源区之间的部分绝缘区，形成FinFET方法。所得场绝缘结构具有由从通过有源区的表面限定的基准面的垂直偏移区别开的三个不同区域。这三个区域将包括在由镶嵌蚀刻所得的凹陷开口中的下表面、中间表面和横向场绝缘区的剩余部分上的上表面。基准面和中间表面之间的通常对应将导致抑制或者消除在形成栅电极期间该区域中的残留栅电极材料，由此改进相邻有源区之间的电隔离并改进所得半导体器件的性能。

主权项

1.一种在半导体衬底上形成FinFET的方法，包括：在衬底上提供第一硬掩模材料的硬掩模图形，以限定多个有源区；形成由场绝缘材料分隔的多个有源区，其中沿着多个平行纵向轴排列有源区，具有相对于沿着相邻纵向轴排列的有源区，沿着在纵向方向上偏移的单个纵向轴排列的有源区，其中沿着单个纵向轴排列的每个有源区与相邻有源区通过特定场绝缘区分隔，并且其中每个沿着第一纵向轴排列的有源区与沿着相邻纵向轴排列的相邻有源区通过横向场绝缘区分隔；形成露出特定场绝缘区的图形；从露出的特定场绝缘区除去场绝缘材料，以在场绝缘材料中形成开口；除去所述图形；淀积第二硬掩模材料层，以填充开口；除去第二硬掩模材料的上部，以平整化表面并露出横向场绝缘区的上表面；以相对于平行纵向轴从10到90度的角度形成镶嵌图形，以露出部分横向场绝缘区；从横向场绝缘区的露出部分除去场绝缘材料的部分厚度，以形成由剩余部分横向场绝缘区分隔的凹陷开口；除去镶嵌图形；除去第一和第二硬掩模材料，以露出三个场绝缘材料表面，该三个场绝缘材料表面包括凹陷的栅开口中的下表面，特定场绝缘区中的中间表面，以及横向场绝缘区的剩余部分中的上表面；在有源区的露出表面上形成栅介质；淀积栅电极材料层；以及构图并蚀刻栅电极材料，以形成栅电极。