[发明专利]半导体集成电路有效
申请号: | 200610144649.6 | 申请日: | 2006-11-10 |
公开(公告)号: | CN1964048A | 公开(公告)日: | 2007-05-16 |
发明(设计)人: | 木村吉孝 | 申请(专利权)人: | 川崎微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/522 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种具有多层布线结构的半导体集成电路,其包括:包括多条顶层电源布线的顶金属布线层(Mtop)和直接位于顶金属布线层(Mtop)下的包括多条次顶层电源布线的次顶金属布线层(Mtop-1)。顶层和次顶层电源布线各自还包括给电路元件供应第一电位的第一电位布线以及给电路元件供应第二电位的第二电位布线。顶层电源布线与次顶层电源布线彼此交叉,并且顶层绝缘膜被布置在它们之间。第一和第二接触位于绝缘膜中,用于连接顶金属布线层与次顶金属布线层中的第一电位布线和第二电位布线。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种具有多层布线结构的半导体集成电路,包括:形成在半导体衬底上的电路元件;顶金属布线层(MTOP)以及直接位于顶金属布线层MTOP下的次顶金属布线层(MTOP-1),其中顶金属布线层包括在第一方向上延伸的多条顶层电源布线,次顶金属布线层包括在第二方向上延伸的多条次顶层电源布线,顶层和次顶层电源布线各自包括用于给电路元件供应第一电位的多条第一电位布线以及用于给电路元件供应第二电位的多条第二电位布线,第一方向与第二方向被构造成使得顶层电源布线与次顶层电源布线彼此交叉,顶层绝缘膜被布置在它们之间;以及多个第一接触以及多个第二接触,其中第一接触位于绝缘膜中,用于使顶金属布线层与次顶金属布线层中的第一电位布线互相连接,第二接触位于绝缘膜中,用于使顶金属布线层和次顶金属布线层中的第二电位布线互相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的