[发明专利]固体摄像装置无效
申请号: | 200610144651.3 | 申请日: | 2006-11-10 |
公开(公告)号: | CN1967855A | 公开(公告)日: | 2007-05-23 |
发明(设计)人: | 舟木正纪;清水健 | 申请(专利权)人: | 日本胜利株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜;关兆辉 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 现有的CMOS传感器,由于逐行依次进行读出,因此感知运动的被摄物时,以与光电转换的时序的关系取入的被摄物会失真。形成在像素覆盖区域(202)上的全像素,通过形成在驱动等控制电路区域(201)上的驱动等控制电路,进行全帧快门控制动作。由此,可分离曝光处理和读出处理,可进行几乎无失真的动画和静态画的摄像。此外,驱动等控制电路区域(201)的n阱(111)和像素覆盖区域(202)的n-阱(112)分离,因此n阱(111)的电位的变动不会直接传到像素覆盖区域(202),由寄生电容引起电容耦合,对像素覆盖区域(202)的影响减小。在进行光电转换时,阱浓度低的一侧光电转换效率提高,因此阱浓度设定为n-阱(112)侧低于n阱(111)。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,由电荷传输单元将在光电转换区域被光电转换并积存的电荷传输到信号输出用晶体管,上述信号输出用晶体管将被输入的电荷量作为电位的变化而输出,该固体摄像装置的特征在于,在第1导电型的基板的表面上分别形成第2导电型的第1阱和第2阱,在杂质浓度低于上述第2阱的上述第1阱内形成像素覆盖区域,该像素覆盖区域至少包括第1导电型的上述光电转换区域和上述信号输出用晶体管的第2导电型的源极区域及漏极区域,在杂质浓度高于上述第1阱的上述第2阱内形成MOS型的电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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