[发明专利]固体摄像装置无效

专利信息
申请号: 200610144651.3 申请日: 2006-11-10
公开(公告)号: CN1967855A 公开(公告)日: 2007-05-23
发明(设计)人: 舟木正纪;清水健 申请(专利权)人: 日本胜利株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜;关兆辉
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 现有的CMOS传感器,由于逐行依次进行读出,因此感知运动的被摄物时,以与光电转换的时序的关系取入的被摄物会失真。形成在像素覆盖区域(202)上的全像素,通过形成在驱动等控制电路区域(201)上的驱动等控制电路,进行全帧快门控制动作。由此,可分离曝光处理和读出处理,可进行几乎无失真的动画和静态画的摄像。此外,驱动等控制电路区域(201)的n阱(111)和像素覆盖区域(202)的n阱(112)分离,因此n阱(111)的电位的变动不会直接传到像素覆盖区域(202),由寄生电容引起电容耦合,对像素覆盖区域(202)的影响减小。在进行光电转换时,阱浓度低的一侧光电转换效率提高,因此阱浓度设定为n阱(112)侧低于n阱(111)。
搜索关键词: 固体 摄像 装置
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,由电荷传输单元将在光电转换区域被光电转换并积存的电荷传输到信号输出用晶体管,上述信号输出用晶体管将被输入的电荷量作为电位的变化而输出,该固体摄像装置的特征在于,在第1导电型的基板的表面上分别形成第2导电型的第1阱和第2阱,在杂质浓度低于上述第2阱的上述第1阱内形成像素覆盖区域,该像素覆盖区域至少包括第1导电型的上述光电转换区域和上述信号输出用晶体管的第2导电型的源极区域及漏极区域,在杂质浓度高于上述第1阱的上述第2阱内形成MOS型的电路。
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