[发明专利]半导体结构和形成电容电路元件的方法

摘要

通过使用跟后端的其余部分相同的沉积工艺和材料，在后端形成无源元件。通过将后端的第n，第(n+1)层级上的各个结构串联而形成电阻器。通过从后端的多个层级构造一组垂直电容器平板而形成电容器，其中通过垂直连接元件连接后端的两个或更多层级上的电极而形成平板。

主权项

1.一种结构，包括：衬底，它具有包含其上形成的互连元件的至少两个布线层级；无源电阻电路元件，它在所述至少两个布线层级中形成，具有在第一布线层级上形成互连元件的同时在所述第一布线层级上形成的第一部分，以及在第二布线层级上形成互连元件的同时在所述第二布线层级上形成的第二部分，还包括：在所述第一布线层级中的至少一个第一电阻元件，以及在所述第二层级中形成的至少一个第二电阻元件，所述第一和第二电阻元件用跟在所述第一和第二布线层级上形成的所述互连元件相同的材料形成。