[发明专利]光致抗蚀剂组合物及利用它制备薄膜晶体管基底的方法有效

专利信息
申请号: 200610144771.3 申请日: 2006-08-23
公开(公告)号: CN1936705A 公开(公告)日: 2007-03-28
发明(设计)人: 朴廷敏;李羲国;尹赫敏;丘翼赫;金柄郁 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;东进瑟弥侃株式会社
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元;赵仁临
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 光致抗蚀剂组合物包含约10~70%重量的含有苯酚-基聚合物的粘合剂树脂、约0.5~10%重量的光-酸发生剂、约1~20%重量的交联剂、约0.1~5%重量的染料和约10~80%重量的溶剂。该光致抗蚀剂组合物可以应用于例如制备TFT基底的方法。
搜索关键词: 光致抗蚀剂 组合 利用 制备 薄膜晶体管 基底 方法
【主权项】:
1.一种光致抗蚀剂组合物,包含:约10~70%重量的含有苯酚-基聚合物的粘合剂树脂;约0.5~10%重量的光-酸发生剂;约1~20%重量的交联剂;约0.1~5%重量的染料;及约10~80%重量的溶剂。
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