[发明专利]相变化存储元件及其制造方法有效
申请号: | 200610144784.0 | 申请日: | 2006-11-14 |
公开(公告)号: | CN1971962A | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 龙翔澜;陈士弘 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种相变化存储元件,其包括相变化存储单元,此存储单元用照相平版印刷形成并具有第一与第二电极、以及位于此二电极之间的相变化导桥,此导桥并与此二电极的相对侧边电连接。相变化导桥具有一长度、一宽度、以及一厚度。此宽度、厚度、以及长度小于用以形成相变化存储单元的工艺的最小照相平版印刷特征尺寸。用以形成存储单元的光阻掩模的尺寸可被缩小,以使得相变化导桥的宽度与长度各自小于最小照相平版印刷特征尺寸。 | ||
搜索关键词: | 相变 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种相变化存储元件,包括:存储单元存取层;以及存储单元层,可操作与该存储单元存取层连接,该存储单元层包括相变化存储单元,其经由照相平版印刷工艺所形成,该存储单元包括:第一与第二电极,其分别具有第一与第二侧边,该第一与第二侧边相对并隔开;相变化导桥,其位于该第一与第二侧边之间,并与该第一与第二侧边分别电连接;该相变化导桥具有一长度、一宽度与一厚度,该宽度的测量介于该第一与第二侧边之间,且该长度的测量垂直于该宽度;以及该宽度、该厚度、与该长度小于用以形成该相变化存储单元的最小照相平版印刷特征尺寸。
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