[发明专利]透射反射型液晶显示器件及其制造方法有效
申请号: | 200610144909.X | 申请日: | 2006-11-22 |
公开(公告)号: | CN1991553A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | 南喆;朴丙镐 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种透射反射型LCD器件,其可在具有多畴的VA型透射反射型LCD器件中有选择地使用反射模式和透射模式。该透射反射型LCD器件通过使透射部分的区域大于反射部分的区域而增大孔径比,通过在VA型透射反射型LCD器件中形成多畴并且在各畴之间形成存储电容来确保总的存储电容量、改善图像质量特性并且改善视角特性。 | ||
搜索关键词: | 透射 反射 液晶显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种透射反射型液晶显示器件,包括:栅线和数据线,其相互交叉设置在第一基板上,在所述第一基板上限定有具有反射部分和透射部分的像素区域;薄膜晶体管,其形成在栅线和数据线的各交叉点处,并且所述薄膜晶体管包括栅极、半导体层以及源极和漏极;透明电极,其与所述薄膜晶体管相连接并形成于所述透射部分上;反射电极,其与所述薄膜晶体管相连接并形成于所述反射部分上;连接电极,其用于将透明电极与反射电极电连接;第一存储电极和第二存储电极,该第一存储电极形成在所述反射部分上,并且第二存储电极形成于所述连接电极之下;第二基板,其与所述第一基板相对;以及液晶层,其插入于所述第一基板与所述第二基板之间。
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