[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200610144911.7 | 申请日: | 2006-11-22 |
公开(公告)号: | CN101064332A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 徐铉植;崔洛奉 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L21/84 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种有机TFT阵列基板及其制造方法。在该有机TFT阵列基板中,数据线设置在基板上,栅线与该数据线交叉。源极与该数据线相连接。漏极与该源极以预定距离间隔开。有机半导体层在该源极和漏极之间形成沟道。有机栅绝缘膜设置在有机半导体层上并与其具有相同的图案。栅极覆盖有机栅绝缘膜上的有机半导体层。设置在栅极上的栅光刻胶图案用于形成栅极。像素电极与该漏极相连接。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种有机薄膜晶体管阵列基板,包括:设置在基板上的数据线,与该数据线交叉的栅线;与该数据线相连接的源极;与该源极以预定距离间隔开的漏极;在该源极和漏极之间形成沟道的有机半导体层;覆盖该有机半导体层的栅极;设置在该有机半导体层和栅极之间的有机栅绝缘膜;设置在该栅极上并用于形成该栅极的栅光刻胶图案;以及与该漏极相连接的像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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