[发明专利]导电支持衬底的通孔垂直结构的半导体芯片或器件

摘要

本发明揭示具有导电支持衬底的通孔垂直结构的半导体芯片或器件及生产工艺，一个具体实施实例的结构如下(图3)：第二反射/欧姆/键合层106层叠于第二导电支持衬底108(其另一面作为第二电极110)和半导体外延层100之间。半导体外延层100包括第一导电类型限制层、活化层和第二导电类型限制层。保护层层叠在预定的位置，通孔/金属填充塞115层叠在保护层中的第二通孔中。层叠在半导体外延层100上的图形化电极116通过通孔/金属填充塞115、第一反射/欧姆/键合层107、第一导电支持衬底109与第一电极111电联接，形成通孔垂直结构的半导体芯片或器件。

主权项

1.一种具有导电支持衬底的通孔垂直结构的半导体芯片或器件，其特征在于，包括：一半导体外延层；一第二导电支持衬底；至少一个第一导电支持衬底；所述的第一和第二导电支持衬底形成在所述的半导体外延层的同一面上的不同位置；所述的第一和第二导电支持衬底由隔隙分开而互相电绝缘；所述的半导体外延层的另一面暴露；至少一个第一半通孔；所述的第一半通孔形成在所述的半导体外延层的预定的位置上，并且穿过所述的半导体外延层；至少一个保护层；其中，所述的保护层形成在所述的第一半通孔中；至少一个第二半通孔；所述的第二半通孔形成在所述的保护层的预定的位置上，并且穿过所述的保护层；至少一个金属填充塞；其中，所述的金属填充塞形成在所述的第二半通孔中；所述的金属填充塞层叠在所述的第一导电支持衬底上；一图形化的电极；其中，所述的图形化的电极层叠在所述的保护层和所述的半导体外延层的暴露的表面上；所述的金属填充塞把所述的图形化的电极和所述的第一导电支持衬底电连接。