[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610145113.6 申请日: 2006-11-10
公开(公告)号: CN1959510A 公开(公告)日: 2007-05-09
发明(设计)人: 邱海军;王章涛;闵泰烨 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G03F7/00;H01L21/027
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 100016*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构,包括:玻璃基板、栅线、栅电极、第一栅绝缘层、有源层、掺杂层、第二绝缘层、数据线、源电极、漏电极、像素电极及钝化层,其中栅电极和栅线上依次为第一栅绝缘层、有源层和掺杂层;栅线上有一截断槽,其截断栅线上的掺杂层和有源层;第二绝缘层覆盖在截断槽及栅线和栅电极外的玻璃基板上;像素电极与漏电极呈一体位于第二绝缘层上方,且在形成漏电极的位置与栅电极上的掺杂层搭接;钝化层覆盖在像素电极之外的部分。本发明同时公开了该像素结构的制造方法。本发明在基于传统工艺的基础上,利用光刻工艺实现了三次光刻掩模版形成薄膜晶体管的方法,可以节约阵列工艺的成本和占机时间,提高产能。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 液晶显示器 像素 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构,包括:玻璃基板、栅线、栅电极、第一栅绝缘层、有源层、掺杂层、第二绝缘层、数据线、源电极、漏电极、像素电极及钝化层,其特征在于:栅电极和栅线上依次为第一栅绝缘层、有源层和掺杂层;栅线上有一截断槽,其截断栅线上的掺杂层和有源层;第二绝缘层覆盖在截断槽及栅线和栅电极外的玻璃基板上;像素电极与漏电极呈一体位于第二绝缘层上方,且在形成漏电极的位置与栅电极上的掺杂层搭接;钝化层覆盖在像素电极之外的部分。
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