[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610145280.0 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1996573A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 安正烈;金占寿 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，其中在限定单元区域和周边区域的半导体衬底上形成栅极绝缘层和多晶硅层。蚀刻周边区域的部分多晶硅层、栅极绝缘层和半导体衬底，从而在周边区域中形成第一沟槽。在整个表面上形成第一绝缘层，以填充第一沟槽。蚀刻单元区域的部分第一绝缘层、第一多晶硅层、栅极绝缘层和半导体衬底，从而在单元区域中形成第二沟槽。在第二沟槽内形成侧壁氧化物层和氮化物层，使得侧壁氧化物层和氮化物层被层叠。利用第二绝缘层填充第二沟槽以形成隔离层。由于可防止等离子体的侵蚀和氢(H2)的渗透，因此可防止单元和周边电路故障。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括步骤：在限定单元区域和周边区域的半导体衬底上形成栅极绝缘层和多晶硅层；蚀刻周边区域的多晶硅层、栅极绝缘层和半导体衬底以在周边区域中形成第一沟槽；形成第一绝缘层以填充第一沟槽；蚀刻单元区域的第一绝缘层、第一多晶硅层、栅极绝缘层和半导体衬底以在单元区域中形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁中形成绝缘隔离物；和形成第二绝缘层以填充第二沟槽，
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
