[发明专利]像素结构及其制造方法有效
申请号: | 200610145446.9 | 申请日: | 2006-11-15 |
公开(公告)号: | CN1959511A | 公开(公告)日: | 2007-05-09 |
发明(设计)人: | 林祥麟;李刘中;黄国有 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L21/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;徐金国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种像素结构,包括:一基板;一第一数据线,形成于该基板上,该第一数据线具有一末端;一第一绝缘层,覆盖该第一数据线,露出该第一数据线的部分末端;一遮蔽电极,设置于该第一绝缘层上,并与该第一数据线部分重迭;一第二数据线,形成于该第一绝缘层上,并与露出的该第一数据线末端电性连接;一第二绝缘层,覆盖该遮蔽电极与该第二数据线;以及一像素电极,形成于该第二绝缘层上,并与该遮蔽电极部分重迭。本发明另提供一种像素结构的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括:一基板;一第一数据线,形成于该基板上,该第一数据线具有一末端;一第一绝缘层,覆盖该第一数据线,露出该第一数据线的部分末端;一遮蔽电极,设置于该第一绝缘层上,并与该第一数据线部分重迭;一第二数据线,形成于该第一绝缘层上,并与露出的该第一数据线末端电性连接;一第二绝缘层,覆盖该遮蔽电极与该第二数据线;以及一像素电极,形成于该第二绝缘层上,并与该遮蔽电极部分重迭。
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