[发明专利]快速恢复整流器结构

摘要

本发明涉及一种快速恢复整流器，除了使用如铂、金等载流子寿命衰减元素和/或放射方法外，结合使用了肖特基结构，在正偏压的条件下，在整流过程中进一步减少少数载流子。此种快速恢复整流器使用未经抛光的衬底和粗杂扩散，以降低成本。本发明也提供了一种具有重掺杂膜层的缩小的p－n结结构，以终止及缩小p－n结的空间电荷区域。这种在p－n结区域内具有较少的总电荷的缩小的p－n结进一步改善了反向恢复时间；此种p－n结可单独使用，可与传统的载流子寿命衰减方法，与肖特基结构和/或与外延衬底结合使用。

主权项

1、一种支撑复合整流器的未抛光的硅或半导体基片，其特征在于它包括：类型相反的顶层形成p-n结；类型相同的底层形成欧姆接触；用于终止高电压的芯片边缘周围的玻璃或多层化学气相沉積(CVD)膜电压终止结构层；用于肖特基接触的刻蚀的多重圆环、六角形、条状或其他形状的结构；用于肖特基接触的顶层金属及与基片顶边的欧姆接触；将载流子寿命衰减元素用铂、金或其他金属扩散放法，或用电子、氦或其他元素的放射方法加入。