[发明专利]无等离子损伤的不着陆介层窗制程有效
| 申请号： | 200610145657.2 | 申请日： | 2006-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101090090A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 骆统;杨令武;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有不着陆介层窗的半导体元件及其制造方法，前述不着陆介层窗具有空隙介电层和富含硅氧化物(SRO)金属间介电(IMD)层。SRO层充当蚀刻停止层以防止不着陆介层窗完全穿过IMD层。另外，SRO具有比已知高密度等离子(HDP)氧化层更高的消光系数(k)，从而防止不着陆介层窗中的等离子蚀刻损伤和过多的空隙形成。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 损伤 着陆 介层窗制程 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，其特征在于，包括：一基底；一图案化的金属配线层，提供于该基底上；一第一氧化层，位于该图案化金属配线层上和周围；其中该第一氧化层包含氧和硅，其中硅原子对氧原子的比率超过1；以及一第二氧化层，形成于该第一氧化层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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