[发明专利]控制存储器单元的临界电压分布的脉冲宽度收敛法有效
| 申请号： | 200610145659.1 | 申请日： | 2006-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1992083A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种操作多个非挥发性多阶存储器单元的方法。此存储器单元具有至少第一、第二、第三及第四编程准位。每一编程准位对应于一相异的二进制状态且具有一临界电压分布。维持每一存储器单元的操作电压固定且变更施加于每一存储器单元的程序化脉冲的脉冲宽度以控制每一存储器单元的临界电压分布。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 存储器 单元 临界 电压 分布 脉冲宽度 收敛 | ||
【主权项】：
1.一种操作多个非挥发性多阶存储器单元的方法，该存储器单元具有至少一第一、第二、第三及第四编程准位，每一编程准位对应于一相异的二进制状态且具有一临界电压分布，其特征在于，该方法包含：(a)维持每一存储器单元于一固定操作电压；以及(b)变更施加于每一存储器单元的一程序化脉冲的一脉冲宽度以控制每一存储器单元的该临界电压分布。
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