[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610145779.1 | 申请日： | 2006-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1971901A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 荒川伸一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 董方源 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，其包括：其中具有凹槽的绝缘膜；形成在凹槽内部的电导体；形成在导体的上表面上的硅酸锰膜，该硅酸锰膜是由锰与二氧化硅绝缘膜的反应产物形成的。还公开了一种用于制造这样的半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：其中具有凹槽的绝缘膜；形成在所述凹槽内部的电导体；形成在所述导体的上表面上的硅酸锰膜，所述硅酸锰膜是由锰与二氧化硅绝缘膜的反应产物形成的。
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