[发明专利]具有凹陷通道晶体管的半导体器件无效
| 申请号： | 200610145909.1 | 申请日： | 2006-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101064342A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 郑星雄;李相敦 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/336;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有凹陷通道晶体管的半导体器件和一种用于制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：器件隔离结构，其形成于半导体基板中以限定有源区，该有源区在其侧壁的下部具有凹陷区域；以及凹陷通道区域，其形成于该有源区之下的半导体基板中。所述方法包括：在半导体基板中形成器件隔离结构以形成有源区，该有源区在其侧壁的下部具有凹陷区域；将栅极绝缘膜形成于包含该凹陷通道区域的半导体基板之上；以及将栅极电极形成于该栅极绝缘膜之上以填充该凹陷通道区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹陷 通道 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：器件隔离结构，其形成于半导体基板中以限定有源区，所述有源区在其侧壁的下部具有凹陷区域；凹陷通道区域，其形成于所述有源区之下的所述半导体基板中，所述凹陷通道区域具有竖直的SOI通道结构，所述SOI通道结构形成于沿着栅极区纵向的所述器件隔离结构的侧壁处；栅极绝缘膜，其形成于包含所述凹陷通道区域的所述半导体基板之上；以及栅极电极，其形成于所述栅极绝缘膜之上以填充所述凹陷通道区域。
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