[发明专利]半导体装置及其半导体装置的制造方法无效
申请号: | 200610146311.4 | 申请日: | 2006-11-09 |
公开(公告)号: | CN1964046A | 公开(公告)日: | 2007-05-16 |
发明(设计)人: | 金本启;冈秀明 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 以避开P阱(2)及N阱(12)的方式在半导体基板(1)上配置SOI形成区域(R1、R11),且在P阱(2)及N阱(12)分别配置块状区域(R2、R12),在SOI形成区域(R1、R11)分别形成N沟道场效应型SOI晶体管及P沟道场效应型SOI晶体管,在块状区域(R2、R12)分别形成N沟道场效应型块状晶体管及P沟道场效应型块状晶体管。降低形成在埋入绝缘层上的半导体层的结晶缺陷,且在同一基板上形成SOI结构和块状结构。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体装置,具备:阱,形成在半导体基板上;半导体层,以避开所述阱的方式由外延生长形成;埋入绝缘层,在所述半导体基板和所述半导体层之间埋入;第一栅电极,形成在所述半导体层上;第一源极/漏极层,形成在所述半导体层上,在所述第一栅电极的侧方分别配置;第二栅电极,形成在所述阱上;和第二源极/漏极层,形成在所述阱上,在所述第二栅电极的侧方分别配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的