[发明专利]半导体装置及其半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200610146311.4 申请日: 2006-11-09
公开(公告)号: CN1964046A 公开(公告)日: 2007-05-16
发明(设计)人: 金本启;冈秀明 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/82
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 以避开P阱(2)及N阱(12)的方式在半导体基板(1)上配置SOI形成区域(R1、R11),且在P阱(2)及N阱(12)分别配置块状区域(R2、R12),在SOI形成区域(R1、R11)分别形成N沟道场效应型SOI晶体管及P沟道场效应型SOI晶体管,在块状区域(R2、R12)分别形成N沟道场效应型块状晶体管及P沟道场效应型块状晶体管。降低形成在埋入绝缘层上的半导体层的结晶缺陷,且在同一基板上形成SOI结构和块状结构。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体装置,具备:阱,形成在半导体基板上;半导体层,以避开所述阱的方式由外延生长形成;埋入绝缘层,在所述半导体基板和所述半导体层之间埋入;第一栅电极,形成在所述半导体层上;第一源极/漏极层,形成在所述半导体层上,在所述第一栅电极的侧方分别配置;第二栅电极,形成在所述阱上;和第二源极/漏极层,形成在所述阱上,在所述第二栅电极的侧方分别配置。
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