[发明专利]半导体存储器件及驱动半导体存储器件的方法无效

专利信息
申请号: 200610146339.8 申请日: 2006-11-10
公开(公告)号: CN1963945A 公开(公告)日: 2007-05-16
发明(设计)人: 大泽隆 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401;G11C11/409;G11C11/4074;G11C11/4096;G11C7/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体存储器件,包括具有浮体的存储单元;连接到存储单元的栅的字线;连接到存储单元的并传输存储于存储单元中的数据的数据位线;传输参考电压的参考位线;连接到数据位线的并传输存储单元中数据的数据读出节点;连接到参考位的并传输参考电压的参考读出节点;分别连接在数据位线和数据读出节点之间以及在参考位线和参考读出节点之间的多个传输门;以及连接到数据读出节点和参考读出节点的每个的并由导电类型跟存储单元相同的晶体管构成的电流负载电路。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 驱动 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:存储单元,它包括处于电学浮接状态的浮体,介入浮体的并存储依赖于浮体中多个多数载流子的数目的数据的第一扩散层和第二扩散层;连接到存储单元的栅的字线;连接到第一扩散层的并传输存储于存储单元中的数据的数据位线;传输参考电压的参考位线;连接到数据位线的并传输存储单元中数据的数据读出节点;连接到参考位线的并传输参考电压的参考读出节点;分别连接在数据位线和数据读出节点之间以及在参考位线和参考读出节点之间的多个传输门;以及连接到数据读出节点和参考读出节点的每个的并由导电类型跟存储单元相同的晶体管构成的电流负载电路。
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