[发明专利]一种相变存储元件的真空室热隔离有效
申请号: | 200610146364.6 | 申请日: | 2006-11-10 |
公开(公告)号: | CN1971964A | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 林锦辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有改良热绝缘的存储元件。该存储单元包括第一电极元件,其具有上表面;形成在该第一电极元件上的绝缘堆栈,其具有第一、第二与第三绝缘构件,三者均大致为平坦且具有形成在其中并延伸穿过的中央凹洞,其中该第二绝缘构件从该凹洞内凹;相变元件,大致为T型,具有延伸进入凹洞以接触到第一电极元件并接触到第一与第三绝缘构件的基底部分、以及延伸在第三绝缘构件上并与其接触的横条部分,其中相变元件的基底部分、第二绝缘构件的内凹部分以及第一与第三绝缘构件的表面限定热绝缘空洞;以及第二电极,其接触到相变构件。 | ||
搜索关键词: | 一种 相变 存储 元件 真空 隔离 | ||
【主权项】:
1、一种存储元件,包括:第一电极元件,具有上表面;形成在该第一电极元件上的绝缘堆栈,其包括第一、第二与第三绝缘构件,三者的外型均大致平坦且在其中形成贯穿的凹洞,其中该第二绝缘构件从该凹洞处内凹;相变元件,其延伸入该凹洞以接触到该第一电极元件并接触到该第一与第三绝缘构件,与该第三绝缘构件接触,其中该相变元件、该第二绝缘构件的内凹部分与该第一与第三绝缘构件的表面限定热绝缘空洞;以及第二电极,其接触该相变元件。
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