[发明专利]半导体装置的制造方法及电子设备的制造方法无效
| 申请号： | 200610146405.1 | 申请日： | 2006-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1975992A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤充;宇都宫纯夫 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/20;H01L21/31;H01L21/316;C30B33/02;C30B25/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够降低对基板的热负荷的半导体装置的制造方法。此外，还提供一种能够提高半导体元件的特性的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具有：将以氢及氧的混合气体为燃料的气体燃烧器(22)的火焰作为热源，对在基板(100)上成膜的半导体层(103)进行热处理的工序，通过该热处理，使半导体层再结晶化(102a)，在半导体层的表面形成氧化膜(102b)。可将该氧化膜(102b)使用作栅极绝缘膜或电容绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：将以氢及氧的混合气体为燃料的气体燃烧器的火焰作为热源，对在基板上成膜的半导体层进行热处理的工序，通过所述热处理，使所述半导体层再结晶化，在所述半导体层的表面形成氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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