[发明专利]电光装置及其制造方法以及电子设备无效
| 申请号： | 200610146737.X | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1971387A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 石井达也 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的电光装置减少具有LDD结构的晶体管的光漏电流。第2栅电极(3a2)使用金属硅化物等的导电材料，平面看上去覆盖低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)地设置到第1栅电极(3a1)之上。因而，TFT(30)的栅电极具有包括第1栅电极(3a1)及第2栅电极(3a2)的多层结构。第2栅电极(3a2)进行遮光，以便从背光源等光源所照射的入射光不照射到低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)。据此，来减少在低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)流通的光漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种电光装置，其特征为，在基板之上，具备：多条数据线及多条扫描线，其相互交叉；多个像素电极，其对应于上述多条数据线及上述多条扫描线的交叉处进行设置；和晶体管，其电连接于上述像素电极，具有LDD结构；上述晶体管具备：半导体层，其在沟道区域的周围形成有包括杂质浓度相互不同的高浓度区域及低浓度区域的杂质区域；第1栅电极，其以平面看不与上述低浓度区域重合的方式，形成于上述沟道区域之上；以及第2栅电极，其电连接于该第1栅电极，以平面看覆盖上述低浓度区域的方式，形成于上述第1栅电极之上。
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