[发明专利]电介质陶瓷及其制造方法无效
| 申请号： | 200610146744.X | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1970496A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 竹冈伸介 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C04B35/462;C04B35/48;C04B35/622;H01B3/12;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及电介质陶瓷及其制造方法。其特征在于，所述电介质陶瓷为以钙钛矿型氧化物为主要成分、含有烧结助剂的烧结后的电介质陶瓷，所述烧结助剂具有以一定量为界限，随着其含量的增加，致密化温度降低，随着其含量的减少，致密化温度下降后上升的特点，并且，所述烧结助剂的含量低于上述一定量，为处于致密化温度低的区域内的量。该电介质陶瓷的制造方法的特征在于添加所述量的烧结助剂。其中使用的钙钛矿型氧化物用通式ABO3表示，A－site/B－site比为0.98～1.03，所述烧结助剂为B及Li、或Si取代部分B得到的B、Li及Si，B、Li及Si的含量为相对于所述钙钛矿型氧化物100摩尔％、换算成B2O3、Li2O及SiO2为0.1～4.0摩尔％。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电介质陶瓷，所述电介质陶瓷为以钙钛矿型氧化物为主要成分、含有烧结助剂的烧结后的电介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂具有以一定量为界限，随着其含量的增加，致密化温度降低，随着其含量的减少，致密化温度下降后上升的特性，并且，所述烧结助剂的含量低于上述一定量，为处于致密化温度低的区域内的量。
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