[发明专利]透明导电膜蚀刻组合物无效
| 申请号： | 200610146763.2 | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1971351A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李骐范;曹三永;申贤哲;河泰成 | 申请（专利权）人： | 东进世美肯株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G03F7/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;赵冬梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种透明导电膜蚀刻组合物，该蚀刻组合物用于在制造薄膜晶体管液晶显示装置等时对透明导电膜(ITO膜)进行选择性地蚀刻，而不会对构成TFT的栅极配线材料即Mo/Al－Nd双重膜和作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜造成影响，所形成的透明导电膜的轮廓优异，蚀刻速度快，具有节约LCD制造成本和提高工序收率的效果。本发明的透明导电膜蚀刻组合物的特征在于，其含有：0.1重量％～5重量％的a)能够在水溶液中解离出Cl－的含氯化合物；0.1重量％～5重量％的b)能够在水溶液中解离出NO3－的化合物；以及c)余量的水。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电膜蚀刻组合物，其特征在于，所述透明导电膜蚀刻组合物中含有：a)能够在水溶液中解离出Cl-的含氯化合物，该a)的含量为0.1重量％～5重量％；b)能够在水溶液中解离出NO3-的化合物，该b)的含量为0.1重量％～5重量％；以及c)余量的水。
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