[发明专利]嵌入式芯片封装结构有效
| 申请号： | 200610146770.2 | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101192586A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 黄振宏;林贤杰;江国春;何信芳 | 申请（专利权）人： | 南亚电路板股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/498;H01L23/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵燕力 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种嵌入式芯片封装结构，该封装结构包含有一双面基板，包含一中间介电层、一第一金属层设于该中间介电层的第一表面，及一第二金属层设于该中间介电层的第二表面；一凹穴，形成在该第二金属层及该中间介电层中，且该凹穴的底部为该第一金属层；一芯片，设置于该凹穴内，该芯片的底面与该第一金属层热接触；一增层材料层，覆盖在该第二金属层上及该芯片的主动面上，且该增层材料层填入该芯片的侧边与该中间介电层之间的间隙；至少一内连结线层，形成在该增层材料层上，并通过至少一接触插塞与设在该芯片的主动面上的连接垫电气连结。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式芯片封装结构，其特征在于该封装结构包含有：一双面基板，该基板包含有一中间介电层、一第一金属层设于该中间介电层的第一表面上，一第二金属层设于该中间介电层的第二表面上；一凹穴，形成在该第二金属层以及该中间介电层中，且该凹穴的底部为该第一金属层；一芯片，设置于该凹穴内，该芯片的底面与该第一金属层热接触；一增层材料层，覆盖在该第二金属层上以及该芯片的主动面上，且该增层材料层填入该芯片的侧边与该中间介电层之间的间隙；至少一内连结线层，形成在该增层材料层上，并通过至少一接触插塞与设在该芯片的主动面上的连接垫电气连结；其中该芯片在操作时所产生的热，可经由该第一金属层，直接快速的以传导方式传至外界。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚电路板股份有限公司，未经南亚电路板股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610146770.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：定位精确的影像芯片封装结构
- 下一篇：一种螺旋输送泵
