[发明专利]等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200610146815.6 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1971856A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 谷口谦介;吹野康彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻方法，该方法即使在处理大型玻璃基板的情况下，也能够得到氮化硅膜相对于含有高熔点金属材料的源极－漏极电极的充分的蚀刻选择比。通过使用含有CF4和O2的处理气体进行等离子体蚀刻处理，一次形成贯通钝化膜(108)和栅极绝缘膜(103)、到达栅极电极(102)的孔(111)，和贯通钝化膜(108)、到达漏极电极(107)的孔(112)。栅极绝缘膜(103)相对于漏极电极(107)表面的Mo层(107c)以高的蚀刻选择比被蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理室内，使用含有CF4和O2的处理气体的等离子体，对形成有薄膜晶体管的被处理体进行蚀刻处理，该薄膜晶体管具有包含高熔点金属材料膜的栅极电极和包含高熔点金属材料膜的源极-漏极电极，对所述栅极电极和所述源极-漏极电极上层的氮化硅膜进行蚀刻，一次形成分别到达所述栅极电极和所述源极-漏极电极的多个深度不同的接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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