[发明专利]成膜装置及其使用方法有效
| 申请号： | 200610146816.0 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1971840A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 冈田充弘;西村俊治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/318;H01L21/31;H01L21/205;H01L21/3205;H01L21/285;C23C16/00;C23C16/455;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体处理用的成膜装置的使用方法，包含通过清洗气体除去在所述成膜装置的反应室内面附着的副产物膜的工序，和通过平坦化气体对所述反应室的所述内面进行化学平坦化的工序。所述反应室的所述内面以选自石英、碳化硅的材料为主要成分。除去工序，在将所述清洗气体供给至所述反应室内的同时，将所述反应室内设定为所述清洗气体活化的第一温度和第一压力。平坦化的工序，在将所述平坦化气体供给至所述反应室内的同时，将反应室内设定为所述平坦化气体活化的第二温度和第二压力。所述平坦化气体包含氟气和氢气。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理用成膜装置的使用方法，包括：利用清洗气体除去附着在所述成膜装置的反应室内面的副产物膜的工序，在此，将所述清洗气体供给至所述反应室内，同时将所述反应室内设定为所述清洗气体活化的第一温度和第一压力，并且，所述反应室的所述内面以选自石英、碳化硅的材料为主要成分；和利用平坦化气体对所述反应室的所述内面进行化学平坦化的工序，在此，将所述平坦化气体供给至所述反应室内，同时将所述反应室内设定为所述平坦化气体活化的第二温度和第二压力，并且，所述平坦化气体包含氟气和氢气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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