[发明专利]形成与半导体晶片上的布线层相关联的电隔离的方法无效
| 申请号： | 200610147007.1 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1959955A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | J·C·西加尔;M·沃格特;D·奥芬伯格;H·－P·斯帕利希 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体晶片表面上形成布线层和与布线层相关联的电隔离的方法，包括步骤：提供具有表面的半导体晶片，在该表面上形成多条导电布线，每条布线具有关于布线的相邻线的间隔，通过等离子体增强化学汽相沉积在布线上非共形地沉积无定形碳的第一层，使得填充空气的空隙在相邻的布线之间的间隔内的第一层下面形成。替代地，可沉积OSG(有机硅玻璃)或FSG(掺杂氟的硅玻璃)以在间隔内产生填充空气的空隙。依据一个实施例，碳、OSG或FSG层用作IMD层(线到线隔离)，被附加另外的电介质材料层，其然后用作ILD－层(层到层隔离)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 晶片 布线 相关 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体晶片的表面上形成布线层和与该布线层相关联的电隔离的方法，该方法包括：提供具有表面的半导体晶片；在上述表面上形成多条导电布线，该布线具有关于布线的相邻线的间隔；和通过等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)在布线上沉积第一电介质材料的第一层并且进入间隔中，其中非共形地进行沉积，使得填充空气的空隙在相邻的布线之间的间隔内的第一层中形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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