[发明专利]高性能CMOS电路及其制造方法有效
申请号: | 200610147073.9 | 申请日: | 2006-11-14 |
公开(公告)号: | CN1992274A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | V·纳拉亚南;T-C·陈;J·S·纽伯里;B·B·多里斯;B·P·林德;V·K·帕鲁许里;A·卡勒伽里;M·L·斯特恩;M·P·胡齐克;J·C·阿诺德;G·A·布莱里;M·A·格里伯佑;金永希 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;李峥 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及互补金属-氧化物-半导体(CMOS)电路,其每个包含至少第一和第二栅极叠层。第一栅极叠层位于半导体衬底中的第一器件区域(例如,n-FET器件区域)上,且从底部至顶部包括至少,栅极介质层、金属栅极导体、和含硅栅极导体。第二栅极叠层位于半导体衬底中的第二器件区域(例如,p-FET器件区域)上,其从底部至顶部包括至少,栅极介质层和含硅栅极导体。第一和第二栅极叠层可以通过本发明各种方法以集成方式形成在半导体衬底上。 | ||
搜索关键词: | 性能 cmos 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:半导体衬底,其包含彼此相邻的至少第一和第二器件区域;第一栅极叠层,其位于所述第一器件区域上,其中所述第一栅极叠层从底部至顶部包括至少,包含介电常数(k)大于等于二氧化硅的介质材料的栅极介质层、金属栅极导体、和含硅栅极导体;以及第二栅极叠层,其位于所述第二器件区域上,其中所述第二栅极叠层从底部至顶部包括至少,栅极介质层和含硅栅极导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610147073.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电路板
- 下一篇:楮树提取物的制备方法及其用途
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的