[发明专利]双极结型晶体管(BJT)及其形成方法无效
| 申请号： | 200610147094.0 | 申请日： | 2006-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1979889A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·安东尼·沃尔纳;托马斯·N·亚当;斯蒂芬·W·比德尔;乔尔·P·德索扎 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 张维 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双极结型晶体管(BJT)。每个BJT的集电极区位于半导体衬底表面中并与第一浅沟槽隔离(STI)区相邻。提供第二STI区，其在第一STI区和集电极区之间延伸，并以不大于约90°的底切角与有源基极区的一部分底切。例如，第二STI区可以是具有小于约 90°的底切角的基本三角形横截面，或是具有约90°的底切角的基本矩形的横截面。可以使用形成在集电极区的上表面中的多孔表面截面来制造这种第二STI区。 | ||
| 搜索关键词： | 双极结型 晶体管 bjt 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极结型晶体管(BJT)，包括：集电极区，位于半导体衬底表面中并与第一浅沟槽隔离(STI)区相邻；有源基极区，位于所述集电极区上并具有上表面和下表面；非本征基极区，位于所述有源基极区上；发射极区，至少具有延伸通过所述非本征基极区并与所述有源基极区的所述上表面接触的部分；以及第二STI区，在所述第一STI区和所述集电极区之间延伸，并以不大于约90°的底切角与所述有源基极区的一部分底切。
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