[发明专利]采用OCD量测芯片台阶高度的方法无效
| 申请号： | 200610147395.3 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101202236A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杜珊珊;黄怡;张海洋;马擎天 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用OCD(光学特征尺寸测量)量测芯片台阶高度的方法，该方法包括如下步骤：a.从光谱线中获取填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数；b.计算填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数的差值以得到台阶高度。与现有技术相比，本发明中采用OCD更为有效并且节约开支地测试台阶。在同一时间测量两个不同介质，并输出高度的差值，而且不会对芯片表面造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 ocd 芯片 台阶 高度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用OCD量测芯片台阶高度的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.从光谱线中获取填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数；b.计算填充介质的高度参数和芯片基底的高度参数的差值以得到台阶高度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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