[发明专利]SCR防静电保护结构

摘要

本发明公开了一种SCR防静电保护结构，包括P型衬底，在P型衬底上包括有N阱注入区和P阱注入区；在N阱注入区内包括有一个P型注入区和一个N型注入区，N阱注入区内的P型注入区和N型注入区之间被一个场氧化层隔离区隔开；在P阱注入区也包括有一个P型注入区和一个N型注入区，P阱注入区的P型注入区和N型注入区之间有若干二极管单元，在所述N阱注入区内的P型注入区与所述P阱注入区的N型注入区之间的场氧化层隔离区的上面设置有多晶硅，所述多晶硅连接有一个触发电路。本发明有效的降低了可控硅的开启电压，既保证不增加新的工艺条件，又使得用于ESD放电的寄生NPN管与PNP管更容易开启，可以充分发挥其ESD能力。

主权项

1.一种SCR防静电保护结构，包括P型衬底，在所述P型衬底上包括有N阱注入区和P阱注入区；在所述N阱注入区内包括有一个P型注入区和一个N型注入区，所述N阱注入区内的P型注入区和N型注入区之间被一个场氧化层隔离区隔开；在所述P阱注入区也包括有一个P型注入区和一个N型注入区，所述P阱注入区的P型注入区和N型注入区之间有若干二极管单元，所述二极管单元由P型注入区和N型注入区以及位于二者之间的场氧化层隔离区组成，其特征在于，在所述N阱注入区内的P型注入区与所述P阱注入区的N型注入区之间的场氧化层隔离区的上面设置有多晶硅，所述多晶硅连接有一个触发电路。