[发明专利]半导体存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 200610147431.6 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101207024A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张璋炎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/51;H01L29/78;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种栅极形成方法，包括依次在半导体衬底上形成隧穿绝缘层、第一多晶硅层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第二多晶硅层，所述第一层间绝缘层为富－氧氮化硅，所述第二层间绝缘层为高k介质。相应地，本发明提供一种栅极结构，本发明还提供一种半导体存储器及其制造方法。本发明通过采用高－k材料作为第二层间绝缘层来替代现有技术中的ONO中的氮化硅和氧化硅，高－k材料的介电常数比氧化硅的要高，因此可以将高－k材料的厚度减小，从而减小存储单元的面积，而同时在第一层间绝缘层和浮栅之间保持较高的耦合比，这种较高的耦合比也使得可以编程电压降低。因此，可以降低快闪存储器的操作电压，实现较短的编程/擦除时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极结构形成方法，其特征在于，包括：依次在半导体衬底上形成隧穿绝缘层和第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成由氮化硅构成的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上形成高k介质构成的第二层间绝缘层；在第二层间绝缘层上形成第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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