[发明专利]薄膜阶梯覆盖率和加载效应的测量方法有效
| 申请号： | 200610147436.9 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101207056A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;朴松源;白杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C23C16/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜阶梯覆盖率和加载效应的测量方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底表面形成测试区域；在所述测试区域表面淀积电介质薄膜；利用光学特征尺寸测量方法测量所述薄膜的厚度；利用所述厚度计算薄膜阶梯覆盖率和加载效应。本发明的方法能够以不破坏晶片的方式测量薄膜介质层的阶梯覆盖率和加载效应。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 阶梯 覆盖率 加载 效应 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜阶梯覆盖率和加载效应的测量方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底表面形成测试区域；在所述测试区域表面淀积电介质薄膜；利用光学特征尺寸测量方法测量所述薄膜的厚度；利用所述厚度计算薄膜阶梯覆盖率和加载效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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