[发明专利]基于CuxO的电阻随机可存取存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 200610147669.9 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1976082A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/10;H01L27/115;H01L21/82;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属微电子技术领域，具体是一种采用CuxO作为存储介质的电阻随机可存取存储器的结构及其制备方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO位于通孔正下方并深入到下层铜引线内部，下层铜引线是下电极，CuxO上方则通过位于通孔中的铜栓塞与上层铜引线连接，上层铜引线是上电极。CuxO用等离体氧化工艺制作。制备方法与双大马士革铜互连技术兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cu sub 电阻 随机 存取 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电阻随机可存取存储器件，其特征在于：作为存储介质的CuxO位于通孔正下方并深入到下层铜引线内部，下层铜引线作为下电极，CuxO上方则通过位于通孔中的铜栓塞与上层铜引线连接，上层铜引线是上电极；CuxO中，1＜x≤2。
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