[发明专利]一种半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 200610147713.6 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101005037A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制造方法，步骤为：首先形成晶体管器件的源/漏极，再形成栅极；在形成栅极的工艺过程中，采用原子层化学气相淀积技术生长二氧化硅栅电极绝缘层、使用化学气相淀积技术生长多晶硅电极、采用化学机械抛光技术移除表面多余的多晶硅，形成无侧墙的半导体晶体管器件。本发明利用半导体多晶硅化学机械抛光技术代替等离子体刻蚀技术制造无侧墙的半导体器件，避免等离子体对器件栅电极绝缘层的损伤，从而降低漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件制造方法，其特征在于该方法的步骤为：首先形成晶体管器件的源/漏极，再形成栅极；在形成栅极的工艺过程中，采用原子层化学气相淀积技术生长二氧化硅栅电极绝缘层、使用化学气相淀积技术生长多晶硅电极、采用化学机械抛光技术移除表面多余的多晶硅，形成无侧墙的半导体晶体管器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
