[发明专利]硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法无效
| 申请号： | 200610147840.6 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1988124A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 万星拱;卜皎 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法，它是将实际测试结果进行温度修正，从而得到一个准确的金属电迁移寿命值。采取固定的加速电流，依靠电流产生的热来升高金属测试结构的温度；通过对多个金属测试结构温度的实际测量，取得一组金属测试结构的温度测试数据T1～Tn以及相应的失效时间t1～tn；采取数据归一化的方式，将一组实际测得的金属测试结构的温度值T1～Tn以一个共同的温度值T’作为换算公式的参数，进而得到相应金属测试结构的失效时间t1’～tn’。真正反映特定电流相对应的电迁移加速过程，从而快速准确地外推金属电迁移寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 金属 测试 结构 迁移 中的 温度 修正 方法 | ||
【主权项】：
1、硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法，其特征在于，它包括以下步骤：1)采取固定的加速电流，依靠电流产生的热来升高金属测试结构的温度；2)通过对多个金属测试结构温度的实际测量，取得一组金属测试结构的温度测试数据T1～Tn以及相应的失效时间t1～tn；3)采取数据归一化的方式，将一组实际测得的金属测试结构的温度值T1～Tn以一个共同的温度值T’作为换算公式的参数，进而得到相应金属测试结构的失效时间t1’～tn’。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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