[发明专利]高度取向的氧化锌纳米柱阵列的超声辅助水溶液制备方法无效
申请号: | 200610147845.9 | 申请日: | 2006-12-22 |
公开(公告)号: | CN101009228A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 李效民;邱健军;于伟东;高相东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L21/368 | 分类号: | H01L21/368;C30B29/16;C30B29/62;C01G9/02;B82B3/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种高度取向的氧化锌纳米柱阵列的超声辅助水溶液制备方法,具体步骤为:①以锌盐为原料,以乙二醇甲醚为溶剂,以有机胺盐为螯合剂,制备稳定的ZnO溶胶前驱体;②采用浸渍提拉法或旋转涂覆法将ZnO溶胶前驱体均匀沉积到玻璃基片上,热处理后形成透明的ZnO籽晶层,诱导随后ZnO纳米柱阵列的生长;③用锌盐、水和六亚甲基四胺按配比制备ZnO纳米柱生长液;④将覆盖有ZnO籽晶层的基片进入到ZnO纳米柱生长液中,在室温下进行超声预处理后,升温至95℃并且保温6小时。反应终止后,将基片去离子水冲洗、自然干燥后获得排列整齐的一维ZnO纳米柱阵列。使制备的ZnO纳米柱阵列的直径降至100nm以下,且保证其生长的直立性。 | ||
搜索关键词: | 高度 取向 氧化锌 纳米 阵列 超声 辅助 水溶液 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高度取向的ZnO纳米柱阵列的超声辅助水溶液的制备方法,其特征在于具体步骤为:①以锌盐为原料,以乙二醇甲醚为溶剂,以有机胺盐为螯合剂,制备稳定的ZnO溶胶前驱体;②采用浸渍提拉法或旋转涂覆法将ZnO溶胶前驱体均匀沉积到玻璃基片上,热处理后形成透明的ZnO籽晶层,诱导随后ZnO纳米柱阵列的生长;③用锌盐、水和六亚甲基四胺按配比制备ZnO纳米柱生长液;④将覆盖有ZnO籽晶层的基片进入到ZnO纳米柱生长液中,在室温下进行超声预处理后,升温至95℃并且保温6小时。反应终止后,将基片去离子水冲洗、自然干燥后获得排列整齐的一维ZnO纳米柱阵列;步骤①中所述的ZnO溶胶前驱体的浓度为0.1-1M;步骤②中所述的热处理温度为300-350℃,最后升至500-600℃;步骤③中所述的ZnO纳米柱生长液的浓度为0.025-0.1M;步骤④中所述的超声预处理时间为5-45min,超声功率为50-100w连续可调;步骤①和步骤③中无机锌盐为醋酸锌或硝酸锌。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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