[发明专利]形成集成电路器件自对准接触的方法

摘要

本发明公开了一种包括形成自对准接触区的加工集成电路器件的方法。所述方法包括提供部分完成的半导体晶片，所述晶片包括一个或多个半导体芯片，其中每个所述芯片包括多个MOS栅极结构。每个所述栅极结构在衬底上形成，且具有覆盖在包括所述栅极结构之间的接触区的部分上形成的第一氮化硅层。每个所述芯片具有覆盖在所述氮化硅层和所述栅极结构上的具有预定厚度的共形的掺杂硅玻璃层。然后所述方法将等离子体蚀刻工艺应用于所述掺杂硅玻璃，采用各向异性的蚀刻成分垂直去除部分所述掺杂硅玻璃，从而暴露一部分所述第一氮化硅层。所述方法还包括采用各向同性的成分清洁所述氮化硅的暴露部分的步骤。所述方法在所述第一氮化硅层的暴露部分上形成第二氮化硅层，并去除所述第二氮化硅层及所述第一氮化硅层的暴露部分，从而暴露所述衬底上的接触区。所述方法利用软蚀刻技术加工所述暴露的接触区。

主权项

1.一种包括形成自对准接触区的加工集成电路器件的方法，所述方法包括：提供部分完成的半导体晶片，所述晶片包括一个或多个半导体芯片，每个所述芯片包括多个MOS栅极结构，每个所述栅极结构在衬底上形成，且具有覆盖在包括所述栅极结构之间的接触区的部分上形成的第一氮化硅层，每个所述芯片具有覆盖在所述氮化硅层和所述栅极结构上的预定厚度的共形的掺杂硅玻璃层；将等离子体蚀刻工艺应用于所述掺杂硅玻璃，采用各向异性的蚀刻成分垂直去除部分所述掺杂硅玻璃，从而暴露出一部分所述第一氮化硅层；采用各向同性的成分清洁所述氮化硅的暴露部分；在所述第一氮化硅层的暴露部分上形成第二氮化硅层；去除所述第二氮化硅层及所述第一氮化硅层的暴露部分，从而暴露所述衬底上的所述接触区；加工所述暴露的接触区。