[发明专利]光刻胶的去除方法有效
| 申请号： | 200610147868.X | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101211125A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 郭佳衢;刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36;G03F7/42;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的光刻胶去除方法采用部分灰化(partial ashing)加湿法清洗的方法，即先采用等离子灰化工艺去除离子注入过程中在光刻胶表面形成的硬质表层，再使用SOM清洗剂清洗光刻胶，能够完全去除光刻胶，并且能够有效防止衬底表面的硅大量流失，避免严重凹陷的出现，从而保证了CMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶的去除方法，所述光刻胶表面具有硬质表层，其特征在于所述方法包括下列步骤：利用等离子体去除所述硬质表层；湿法去除所述光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610147868.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：开关电路及其控制方法
- 下一篇：双码信息双重防伪方法
