[发明专利]一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 200610147890.4 | 申请日: | 2006-12-25 |
公开(公告)号: | CN1986485A | 公开(公告)日: | 2007-06-27 |
发明(设计)人: | 李玉臣;周志勇;包绍明;姚烈;董显林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/475;C04B35/622;H01L41/187 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法,属于陶瓷组成与制备领域。铋层状型压电陶瓷材料的化学通式为:(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-;其中,SrBi4Ti4O15相对应的化学式为:(Bi2O2)2+(SrBi2Ti4O13)2-,A位是Sr2+、Bi3+离子,B位是Ti4+离子,m=4。本发明采用行星球磨、敞开粉末合成、敞开烧结的压电陶瓷工艺进行制备,材料的主要性能为:ε33T/ε0=160±20,tanδ=0.28%,Tc=530℃,d33=21pC/N,ρv(400℃)=1.2×1010Ω·cm,可以制成各种形状的压电陶瓷元件,且能在室温至400℃范围内反复使用。利用这种材料制得的陶瓷元件,组装成各种压电传感器,可以在高温条件下的测量、探测与自动控制方面获得广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 电阻率 层状 结构 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法,其配方为:(Bi2O2)2+(Sr1-x-y-aCaxBayBi2+zTi4O13)2-+bmol%Nb2O5+cmol%Sm2O3+dmol%Cr2O3。
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