[发明专利]一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 200610147891.9 | 申请日: | 2006-12-25 |
公开(公告)号: | CN1986486A | 公开(公告)日: | 2007-06-27 |
发明(设计)人: | 李玉臣;包绍明;姚烈;董显林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/491 | 分类号: | C04B35/491;C04B35/622;H01L41/187 |
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地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法,属压电陶瓷领域。其特征在于:材料的基本化学组成为:Pb1-m-nSrmBan(Nb2/3Mg1/3)x(Nb2/3Zn1/3)0.25-xZryTizO3+amolSiO2+bmolSb2O3,其中,m+n=0~0.20;x=0.0~0.25;y=0.20~0.40;z=0.20~0.4;x+y+z=1;a=0.0~0.5;b=0.0~0.5。本发明采用铌锌、铌镁和锆钛酸铅组成四元系压电陶瓷,在A位用Sr和Ba复合置换部分铅,并通过添加合适的添加物,采用传统固相反应法,获得了一种压电常数d33=780pC/N,ε33T/εo=3800,tanδ=1.36,Kp=0.75,Qm=55的高性能压电陶瓷材料。利用这种材料制得的陶瓷元件,组装成压电换能器,可以在医疗超声成像检测等方面获得广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 性能 超换能 器用 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料,其特征在于化学式为:Pb1-m-nSrmBan(Nb2/3Mg1/3)x(Nb2/3Zn1/3)0.25-xZryTizO3+amolSiO2+bmolSb2O3其中,m+n=0~0.20;x=0.0~0.25;y=0.20~0.40;z=0.20~0.4;x+y+z=1;a=0.0~0.5;b=0.0~0.5。
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