[发明专利]一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 200610147892.3 | 申请日: | 2006-12-25 |
公开(公告)号: | CN1994966A | 公开(公告)日: | 2007-07-11 |
发明(设计)人: | 李玉臣;包绍明;周志勇;姚烈;董显林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/475;C04B35/622 |
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地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种在高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法,属压电陶瓷领域。铋层状结构型压电陶瓷材料的化学通式为:Bi2O22+(Am-1BmO3m+1)2;其中CaBi4Ti4O15相应的化学式为:(Bi2O2)2+(CaBi2Ti4O13)2+,A位为Ca2+、Bi3+离子,B位为Ti4+离子,m=4。本发明的压电陶瓷材料采用传统固相反应法进行制备,可获得各种形状的压电陶瓷元件;材料的主要性能为:ε33T/ε0=130,tanδ=0.10%,Tc=782℃,d33=19pC/N,ρv(480℃)=1×109Ω·cm,且能在室温至480℃范围内反复使用。利用这类陶瓷元件组装成的各种压电传感器,可在高温条件下的测量、探测与自动控制等方面获得广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 高温 稳定 使用 层状 结构 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高温下稳定使用的铋层状结构压电陶瓷材料,其配方为Ca1-x-a (NaBi)x/2BiTi4-y-zNbyWzO15+bmol%CeO2+cmol%Sb2O3+dmol%CoO,其中0.0≤x≤0.8,0.0≤y≤ 0.8,0.0≤z≤0.8,0.0≤a≤0.2,0.0≤b≤5,0.0≤c≤2.0,0.0≤d≤2.0。
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