[发明专利]共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器有效
| 申请号： | 200610148068.X | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1996621A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;殷菲;熊大元;李宁;甄红楼;张波;陈平平;李天信;陈效双;李志锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/111 | 分类号： | H01L31/111 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 田申荣 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器，该探测器是在常规的多量子阱层的每个周期后端加入一个共振隧穿双势垒结构。这种结构的优点是：可对量子阱红外探测器的暗电流显著抑制而光电流显著增强，从而实现对探测器的探测率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 共振 增强 铟镓砷 量子 红外探测器 | ||
【主权项】：
1.一种共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器，包括：GaAs衬底(1)，在GaAs衬底上依次排列生长n型重掺杂的GaAs下电极层(2)、多量子阱层(3)、n型重掺杂的GaAs上电极层(4)；其特征在于：所说的多量子阱层为多个周期交替排列的量子阱结构层和双势垒共振隧穿结构层，最后另加一层非掺杂GaAs势垒层(308)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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