[发明专利]一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法无效
| 申请号： | 200610148075.X | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101211114A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 詹扬;丁士成;徐友锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;G03F7/42;G03F7/26;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/027;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法，涉及半导体制造工艺中的湿法清洗制程。现有的栅极多晶硅掩膜层去除方法存在无法有效去除杂质颗粒的问题。本发明的方法包括氢氟酸清洗步骤、浓磷酸清洗步骤、干燥步骤和SC1清洗步骤，其中，所述SC1清洗步骤在所述浓磷酸清洗步骤和所述干燥步骤之间执行。采用本发明的方法去除栅极多晶硅掩膜层，可在杂质颗粒表面形成磷酸浓缩缺陷之前将杂质颗粒除去，使平均每片晶圆上的杂质颗粒数量从大于15颗减少到小于5颗，相应地，杂质颗粒失效率也从30％降低到1％，从而使平均每片晶圆的良率提高了1％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进型 栅极 多晶 硅掩膜层 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法，包括氢氟酸清洗步骤、浓磷酸清洗步骤、干燥步骤和SC1清洗步骤，其特征在于：所述SC1清洗步骤在所述浓磷酸清洗步骤和所述干燥步骤之间执行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610148075.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硅整流设备柜体绝缘检测装置
- 下一篇：一种折叠式三角警告牌
