[发明专利]场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 200610148403.6 | 申请日： | 2006-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1967874A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 安德斯·布赖恩特;布伦特·A·安德森;艾德华·J·诺瓦克;杰弗里·B·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了三栅场效应晶体管的实施方式，该三栅FET包括鳍形半导体本体，沟道区和源/漏区在沟道区的任一侧上。厚栅极介质层将沟道区的顶表面和相对侧壁与栅极导体分开，从而抑制沟道面中的导电性。薄栅极介质层将沟道区的上边角与栅极导体分开，从而优化沟道边角的导电性。为了进一步加强沟道边角中的电流流动，可以仅在半导体本体的上边角中形成源/漏区。替代地，可以仅在半导体本体的上边角中邻近栅极导体形成源/漏扩展区，并且可以在半导体本体的端部中形成深源/漏扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：衬底上的半导体本体，其中所述半导体本体具有顶表面、相对侧壁和上边角；在所述顶表面上的第一栅极介质层；在所述相对侧壁上的第二栅极介质层；以及在所述上边角上邻近所述第一栅极介质层和所述第二栅极介质层的第三栅极介质层，其中所述第一栅极介质层和所述第二栅极介质层二者都比所述第三栅极介质层更厚。
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