[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610148440.7 | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101179029A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 赖钦诠;邱羡坤;林宜平;杨淑贞 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/43 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。首先于基板上形成栅极。接着，形成栅绝缘层以覆盖栅极，并于栅极上方的部分栅绝缘层上形成一层沟道层。之后，于沟道层上形成源极及漏极。栅极的形成方法可以是依序形成含氮铜合金层及铜层，并移除部分含氮铜合金层及铜层。源极及漏极的形成方法也可以采用这种形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：依序形成一第一含氮铜合金层及一第一铜层于一基板上；移除部分该第一含氮铜合金层及该第一铜层，以形成一栅极于该基板上；形成一栅绝缘层，以覆盖该栅极；形成一沟道层于该栅极上方的部分该栅绝缘层上；形成一源极及一漏极于该沟道层上，其中该源极及该漏极的形成方法包括：于该基板上方依序形成一第二含氮铜合金层及一第二铜层；以及移除部分该第二含氮铜合金层及该第二铜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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