[发明专利]互连结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200610148518.5 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1976020A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | H·L·巴克斯;刘晃;J·T·凯利赫尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;特许半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种后段制程(BEOL)互连结构和一种形成互连结构的方法。所述互连结构包括嵌入介电层的导体例如铜，以及在所述导体上用作扩散阻挡层的低k介电帽层。公开了一种形成BEOL互连结构的方法，其中所述帽层是利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积而成，且由Si、C、H和N构成。所述互连结构提供了改善的氧扩散阻抗和改善的阻挡质量，允许膜厚度的减小。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上形成的互连结构，包括：介电层，覆盖所述衬底；至少一个导体，嵌入所述介电层并具有与所述介电层的顶面基本上共面的表面；以及帽层，在所述至少一个导体和所述介电层上，所述帽层具有与所述导体附着接触的底面。
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