[发明专利]固态图像拾取器件及其制造方法

摘要

实现了一种元件图案被小型化的固态图像拾取器件及其制造方法，其中采用炉内退火工艺而不进行氮化栅氧化膜的工艺和主要热处理工艺中的快速热处理。根据本发明的固态图像拾取器件的制造方法包括以下步骤：通过热氧化半导体衬底来形成N沟道晶体管和P沟道晶体管的相应栅绝缘膜；形成P沟道晶体管的栅电极并且形成N沟道晶体管的栅电极使得最小栅长等于或小于0.3μm；利用栅电极作为掩模将杂质注入到半导体衬底中；并且对具有注入到其中的杂质的半导体衬底进行炉内退火。

主权项

1、一种固态图像拾取器件的制造方法，该固态图像拾取器件在半导体衬底上包括以矩阵形式设置的多个像素、驱动所述多个像素的外围电路、N沟道晶体管、以及P沟道晶体管，该方法包括以下步骤：通过热氧化所述半导体衬底来形成所述N沟道晶体管和所述P沟道晶体管的相应栅绝缘膜；形成所述P沟道晶体管的栅电极并且形成所述N沟道晶体管的栅电极使得所述N沟道晶体管的所述栅电极的最小栅长等于或小于0.3μm；利用所形成的栅电极作为掩模，将杂质注入到半导体衬底中；并且对具有注入到其中的杂质的所述半导体衬底进行炉内退火。